变容二极管直接调频器的工作原理:利用变容二极管的单向导通性及其可调的极间电容来调节振荡频率，进而实现调频。变容二极管1的功能特性，变容二极管的作用是根据PN结间电容可变的原理制作半导体变容二极管和反向偏置器件，在高频调谐、通信等电路中用作可变电容，变容二极管。

宽带中频放大器的设计摘要中频放大器是功率放大器的一种，它还具有选频功能，即特定频段的功率增益高于其他频段的功率增益。同时，它也是一种超外差接收机。它的任务是将变频得到的中频信号放大后送至检波器进行检测。它具有工作频带低、选择性好、工作稳定性好的特点。因此，中频放大电路在超外差无线电、选择性和通带的实际应用中起着极其重要的作用。

带极间电容的单管共射放大器电路图:极间电容对共射放大器电路的频率特性有影响，电容值越高，高频特性越差。由元件的结构或排列引起的额外电容。例如电极间电容或匝间电容。变容二极管直接调频器的工作原理:利用变容二极管的单向导通性及其可调的极间电容来调节振荡频率，进而实现调频。场效应晶体管石英晶体振荡器电路图_电路图振荡器采用51 MHz (17 MHz三次谐波)晶体工作。

L2转弯约占L1的20%。振荡特性可以通过470ω源电阻来改变。①极间电容。FET的三个电极之间存在电极间电容，即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和源漏电容CDS。CGS和CGD一般为1~3PF，CDS约为0.1~1pF②漏源最大电流IDM。它是指允许通过场效应晶体管的漏极和源极的最大电流。(3) FET消耗功率PD。指的是场效应管工作时消耗的功率。

变容二极管是一种特殊的半导体器件，称为二极管，但一般不理解为单向导通直流电的场合，而是用于高频电路中，利用其结电容随反向电压变化(其电抗随电容变化)的特性，作为可变电容使用。变容二极管又称可变电抗二极管，是利用pN结反向时结电容随外加电压变化的特性制成的。当反向偏置电压增大时，结电容减小，反之结电容增大。变容二极管的电容一般很小，最大值在几十皮法到几百皮法。最大面积电容与最小电容之比约为5∶1。

变容二极管1的功能特性。变容二极管的作用是根据PN结间电容可变的原理制作半导体变容二极管和反向偏置器件，在高频调谐、通信等电路中用作可变电容。压敏二极管属于反向偏置二极管，通过改变其PN结上的反向偏置可以改变PN结的电容。反向偏置越高，结电容越小，反向偏置和结电容的关系是非线性的，如右图所示。

PN结在单晶半导体中，当一部分掺杂受主杂质，另一部分掺杂施主杂质时，P型半导体和N型半导体界面附近的过渡区称为PN结。基本特性P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴可以移动，而离子化的杂质(离子)是固定的。N型半导体中有许多可移动的负电子和固定的正离子。

空穴和电子相遇复合，载流子消失。因此，在界面附近的结区有一段距离，那里缺乏载流子，但有带电的固定离子分布在空间，这就是所谓的空间电荷区(图1)。P型半导体一侧的空间电荷是负离子，N型半导体一侧的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，阻止载流子进一步扩散，达到平衡。

Hello二极管是一种单向导电的半导体电子元件。二极管由一种叫PN结的半导体制成，从P型半导体引出的引线叫正极，从N型半导体引出的引线叫负极。二极管具有电流只正向导通，反向(即正向和反向)关断的特性。二极管的正向电阻很小，一般在几欧姆到几百欧姆，甚至更小，反向电阻很大，一般在几十千欧姆到几十兆欧。附图是对PN结的解释。

二极管的工作原理:二极管是P型半导体和N型半导体形成的pn结，在界面两侧形成空间电荷层，自建电场。没有外加电压时，pn结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，处于电平衡状态。当外界存在直流偏压时，外电场和自建电场的相互抑制增加了载流子的扩散电流，引起正向电流。当有外部反向偏压时，外部电场和自建电场进一步加强，在一定的反向电压范围内形成与反向偏压值无关的反向饱和电流I0。

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