什么是开漏开集电极或开漏分别意味着极组和漏极在器件内部不连接。什么是集电极开路和漏极开路？什么是集电极开路？它的三极是:栅极、漏极和源极，模拟电路中栅源漏的工作原理是什么？一句话，场效应晶体管的工作原理是“漏源间流动的沟道的ID用来控制栅极和沟道间pn结形成的反向偏置的栅极电压”，漏极是FET的一个管脚的名称，所谓开漏，就是用来驱动的晶体管是FET，FET的漏极是开着的(即漏极不与VCC相连)。

无论是在全球移动通信系统、第三代移动通信系统、无线局域网等民用领域，还是在雷达、电子战、导航等军事领域，作为这些系统中的前端器件，对低功耗、高效率、小尺寸的要求正在迅速提高。众所周知，在射频电路的众多模块中，功率放大器的功耗最大。作为系统的核心和前端部分，其效率的高低将直接影响系统的效率，因此效率问题已经成为现代功率放大器的研究重点。

其中F类功率放大器专门设计了谐波网络，实现漏极电压和电流的波形控制。理论上F类功放的漏极效率为100%，被称为新一代功放。传统的功率放大器由于输出电路上的功耗而工作效率低。为了增加传统功率放大器的效率，理想的F类功率放大器使用输出滤波器来控制晶体管输出电压或电流中的谐波分量，从而使晶体管输出的电压和电流波形归一化。

漏源电压:漏源两端的电压。栅极-源极电压:栅极和源极之间的电压。栅极(也叫栅极)，源极和漏极把两个P区的引线连在一起作为一个电极，叫做栅极。在N型硅片两端引出两个电极，分别称为源极和漏极，薄的N区称为导电沟道。共漏放大器电路源极输出的栅极简称G，源极简称S，漏极简称D。

这两种电路的结构非常相似，区别只是使用的晶体管不同，具体使用的方法是一样的。漏极是FET的一个管脚的名称。所谓开漏，就是用来驱动的晶体管是FET，FET的漏极是开着的(即漏极不与VCC相连)。集电极是晶体管BJT的一个管脚的名字。所谓集电极开路，就是用来驱动的晶体管是BJT，BJT的集电极开路(即集电极不与VCC相连)。

MOS晶体管是集成电路中的一种绝缘场效应晶体管。它的三极是:栅极、漏极和源极。网格简称G；源电极简称为s；这个排水口简称为d。栅格是由金属丝组成的屏幕状或螺旋形电极。在多极电子管中最靠近阴极的电极具有丝网或螺旋的形状，并被插入电子管的另外两个电极之间，以控制电极的电流强度并改变电子管的性能。漏极在栅极的左侧，源极在栅极的右侧。

场效应晶体管的工作原理，一句话就是“漏极和源极之间流动的沟道的ID用于栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置栅极电压控制ID”。更准确地说，ID流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，导致耗尽层的膨胀变化。在VGS0的不饱和区，由于过渡层的膨胀不是很大，根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区的一些电子被漏极拉走，即有电流ID从漏极流向源极。

这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道，但电流没有被切断。由于过渡层中没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，电流通常难以流动。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极下部，漂移电场拉动的高速电子穿过过渡层。因为漂移电场的强度几乎是恒定的，所以出现了ID的饱和现象。其次，VGS负向变化，使VGSVGS(off)，此时过渡层几乎处于覆盖整个区域的状态。

集电极开路是集成电路的一种输出器件。OC门其实只是一个NPN三极管，不输出特定的电压或电流值。OC门是根据三极管基极连接的集成电路确定的(三极管的发射极接地)，通过三极管的集电极输出。开漏:即高阻态，适合输入/输出。它可以独立输入/输出低电平和高阻态。如果需要高电平，应使用外部上拉电阻或电平转换芯片，如LCX245。

扩展数据:OC的工作特性这种配置的特点是输出侧的上拉晶体管连接的电压不一定需要使用与输入侧ic相同的电源(VCC)，可以用更低或更高的电压代替。因此，开集电路有时用于连接不同的工作电位，或当外部电路需要更高的电压。OC的另一个优势是多个OC输出可以连接到同一条线路。

集电极开路是开漏，也就是说极组和漏在器件内部是不相连的。这样，当器件被截断时，输出处于高阻状态，便于多个器件并联(称为线与)，在实际使用中，通常在集电极和漏极外的电源上连接一个电阻(上拉电阻)，这样这个电阻就可以将高阻态变为高电平。高电平电压等于电源电压，即高电平电压可控，应用更加灵活。