那个mos管很热，而且很管用...1.可以工作，而且容易烧坏，因为mos管是电压导通管，基本不需要电流。当漏源电源高频接通或干扰较大时，悬浮栅容易使少量电荷和低电压的mos管导通，这种状态下，mos工作在非全导通状态，相当于一个电阻，发热严重，达到一定温度就会冒烟或者炸管，还能做什么？首先，MOS管发热的原因是什么。

MOS的阈值电压是一个范围值。一般来说，和耐压有关。比如几十伏的耐压一般是12 V，200 V以内的一般是24V，200V以上的一般是35 V，当然也要考虑温度的影响。随着温度升高，阈值电压将降低。这也和具体的工作状态有关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看看这类MOS的数据表，才能用好。300K时，一般N管在0.7V左右，P管在1V左右。我没用过90nm和0.13um的工艺，不知道它们的阈值电压。

一般来说，和耐压有关。比如几十伏的耐压一般是12V，200V以内的一般是24V，200v以上的一般是35 V，MOS晶体管，当器件由耗尽型变为反型时，会经历Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。当背栅和源极连接在一起时，MOS晶体管的阈值电压等于形成沟道所需的栅-源偏置电压。

根据描述，你的MOS晶体管应该一直处于大电流工作状态，没有PWM调节。先不接MOS，接VCC，测试7脚是不是VCC，8脚是不是5V，再测试其他脚。如果一切正常，测试R4是否正常，然后检查R7和R8之间的电压。正常后连接MOS管，NMOS管的S极电压一定不能高于G极电压，否则容易损坏，MOS管损坏容易导致电流回流6脚烧坏芯片。

1。MOS晶体管的三个区域:可变电阻区(对应三极管的饱和区)、恒流区(对应三极管的放大区)、夹断区(对应三极管的截止区)和一个击穿区(对应三极管的击穿区，属于电力电子学内容)。2.MOS晶体管的导通是一个过程。你需要仔细阅读模本，复习Ugs(th)的定义。对于NMOSFET，Ugs(th)指的是刚才形成导电沟道所需的Ugs电压。注意，这里的属性刚刚形成了一个导电通道。

因为你的电机电流太大，mos管承受不了，我们建议以下两个改动:1。电机一端在D点接地；这个电机电流不会通过mos管，但是编程的时候注意相反的逻辑，原匝就是电流停止；2.续流二极管并联在mos管的2端，防止电机启动，停止损坏mos管；以上个人建议，希望能帮到你，欢迎提问，谢谢。让我们用你的电路。您可以将接地的10K电阻器更改为100K。可能是G极电压不够高。

1.观察G波形，看振幅是否符合要求。2.g点有没有合格的脉冲，上升下降时间够快吗？3.根据你的电路结构，IRF44的漏极最大输出只有10K/20/*24VVGES(6V)6V。电机旋转时会产生反电动势，使MOS管脱离饱和，进入放大区。用起来会很烫。4.加50欧姆会加重3的情况，电机会因为电压低而不工作。5.电机输出接原极，电路改变。1.将1K的电阻降低到27欧姆。

首先，MOS管发热的原因是什么？1.MOS选择不合理，内阻大，或者封装导热性能不好，导致温升高。2、散热效果不好，MOS管是贴在PCB上还是拧在散热片上。针对以上MOS发热的原因，解决思路出来了:1。更换内阻小的MOS管，或者选择散热效果好的MOS管封装形式。2.改善MOS管的散热条件，增加热沉。

这是基本电路。75NF75工作在“开关状态”，P16输入控制其开或关，相当于开关被打开或关闭。开启时，连接电源5V的加热器通过这个“电子开关”连接到电源“地”，电流被加热器加热。当控制信号处于低电平时，75NF75处于off状态，相当于开关被关断，加热器停止加热。

1，可能管用，而且容易烧坏，因为mos管是电压导通管，基本不需要电流。当漏源在高频或干扰较大时，浮栅很容易导通少量电荷、低电压的mos管。这种状态下mos工作在非全导通状态，相当于一个电阻，发热严重。达到一定温度就会冒烟或者炸管。所以mos管的箝位电阻是必要的。

这是设计问题。真的没有什么好的方法，有些方法是没用的。不用还好，用了就避免不了。在开关电源的测试中，除了用三表测量控制电路中其他器件的管脚电压外，更重要的是用示波器测量相关的电压波形。在判断开关电源工作是否正常时，测试能反映电源工作状态的地方，变压器的原副边和输出反馈是否合理，开关MOS管工作是否正常，PWM控制器的输出是否正常，包括脉冲幅度和占空比是否正常等等。

根据之前的开关电源知识，MOS晶体管发热的原因有以下几点:1。驱动频率太高，2: G极驱动电压不够。3:通过漏极和源极的Id电流太高，因此，关注MOS管，准确测试其工作状况，才是问题的根本。如图选择测试点:Q1为功率开关MOS管，A点为漏极，B点为源极，R点为电流采样电阻，C点为接地端。