三极管的导通电压是多少？晶体管导通电压？三极管的饱和压降是三极管饱和导通时CE极间的电压，这是三极管本身的性质。一般锗三极管在0.1V左右，硅三极管在0.3V左右..三极管的导通电压为:硅管为0.5-0.7V，与三极管的饱和压降有关，三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件，三极管硅管正常工作时各极的电压。

管压降是集电极到发射极的电压降(约0.2伏)，与基极导通电压0.7伏无关。一个是EB结，一个是EC结，电流通道不一样。死区是指没有电流的范围，在完全导通和完全截止之间有一个过度区域。硅管的死区电压为0.5V，指的是三极管基极到发射极的直流电压，即ube，如下图输入特性曲线所示。三极管的导通由Ube的大小控制，从0V逐渐增大到0.5V，三极管始终处于关断状态，所以0.5V称为死区电压。

锗晶体管的饱和电压为0.3，硅晶体管的饱和电压为0.7。前者已经停产，这是硅晶体管不可替代的损失。这是最低的导通电压。一般我们认为硅的开启电压是0.7，锗的开启电压是0.5。只有施加在三极管上的电压超过这个值，三极管才会导通。低于这个值，三极管就会出现死区，也就是没有电流通过，或者很小。

硅三极管的工作状态可以根据其在线时集电极、基极、发射极的工作电压来判断。这里以NPN管为例来说明。1.三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约PN结压降(约0.6V)，集电极电压介于电源电压和发射极电压之间(一般比发射极电压至少高1V)。2.在饱和状态下，基极电压比发射极电压高0.6V左右，集电极电压基本等于发射极电压(差值小于0.5V).3 .在关断状态下，基极电压与发射极电压之差很小，基本为零，集电极上端负载电阻之差为0(即集电极电压与其他地电源电压之差)。

晶体管在饱和状态下的压降与其饱和深度和集电极电流有关。一般驱动电流Ib越大，管饱和越深(一定范围内)，饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管的饱和压降越小。三极管饱和时，集电极压降不一定是0.3V，而是集电极电流的函数。电流越小，电压越低，最低可以达到mV的量级，电流大的时候也有可能达到几伏。

小功率三极管的饱和压降也与管的材料有关，可分为硅和锗。NPN硅管的饱和压降Vce在0.3-0.4v之间，锗管在0.2-0.3v之间；另外，饱和又可分为临界饱和、饱和、深度饱和，上述三种情况下Vce是不同的。当VCE VBE为0.7 V时，为临界饱和。扩展资料:常用的三极管封装形式有两种:金属封装和塑料封装。引脚的排列有一定的规律。放置仰视位置，使三个引脚形成等腰三角形的顶点，为ebc从左到右；对于中小功率的塑料三极管，使其平面朝向如图所示的自己，三个管脚朝下放置，那么ebc从左到右依次为。

三极管的饱和压降是三极管饱和导通时CE两极之间的电压，这是三极管本身的性质。一般锗三极管0.1V左右，硅三极管0.3V左右..大功率管压降略大。不知道你有没有误解这个问题。如果Vce (SAT)小于0.7V，说明:“晶体管饱和的标准是Vce小于0.7V，请您判断一下这个电路中的晶体管是否饱和(Vce小于0.7V)？

也怪出题的老师表达不清楚，而且他还考了研究生！其实不用计算就很容易判断出晶体管处于放大状态，因为:1)不可能关断，因为基极关断时有(120.7)/(12±3)mA的电流，集电极一定有电流，这是矛盾的；不可能饱和，因为Rb左端的电位必然低于右端，基极电流变为负值。怎么可能饱和？又矛盾了，所以电路一定是放大状态。你可能算过，我就不再算了。

PNP晶体管上电时导通(你知道怎么导通吗，就是E加电源电压，比如5V，C极通过一个限流电阻接地)，那么如果你给控制端，也就是B极一个低电平，这个时候就可以导通了，导通电压(也就是， CE)之间的电压至少小于0.2V如果此时你的B极是高电平，那么你可以再测一次你的CE之间的电压，可能是。 三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件。

你的理解基本正确。1.A点输入3.6V时(B点和C点高电位)，发射极二极管承受0.7V，所以T1的基极应该是4.3V，T1中没有Vcc。因为T1的集电极直接连到T2的基极，而T1的CEs之间没有正向通路，也没有正向Ic，所以T1的CEs之间的电压下降到0，所以当电压到达T2时，基极是3.6V. 2。如果在T1的集电极(T2的基极)和Vcc之间连接一个负载(路径)，那么T1处于集电极饱和导通状态，T1的CE之间的电压变为0.3V(其值为T1饱和导通后的体电阻乘以T1的集电极Ic)。

是的，饱和度必须打开！4.当CE之间Vcc0为0时，三极管可以等效为两个反向连接的二极管。5.当A、B、C任意一点的电位较低时，T1就会导通，因为T1是多发射极晶体管，相当于三个基极并联，三个集电极并联，三个发射极分开的连接方式。只要三个发射极中的任何一个为低，T1的集电极就会被拉至低电平。当只有端子A、B和C处于高电平时，晶体管T1将被关断。

硅管:NPN，基极比发射极大0.7V，但PNP在发射极比基极大0.7V时导通。锗管:NPN，基极比发射极大0.3VPNP，发射极比基极大0.3V。硅材料的NPN三极管工作在饱和区时，集电极和发射极之间会有0.3V左右的电压差。0.3V乘以流过晶体管的电流可以计算出晶体管在使用中的功率。扩展资料:三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中，三极管的电流放大往往通过电阻转化为电压放大。

同时，基区的多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子的浓度比发射区低得多，这种电流可以忽略，所以可以认为发射结主要是电子流。2.基区电子扩散和复合电子进入基区后，首先在发射极结附近聚集，逐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，电子流被促进向基区的集电极结扩散，并被集电极结的电场拉入集电极区，形成集电极电流ic。